NPN型硅平面高频高反压三极管 3DG160

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
30V
VCE=
30V
VEB=
1.5V
IC=10mA
IB=1mA
VCE=10V
IC=1mA
VCE=10V
Ic=2mA
f=10MHz
型号 3DG160A
3DG160B
3DG160C
3DG160D
300 20 200
300
400
500
200
300
400
500
5 0.1 0.1 0.1 1 0.5 20 10 B-1  
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路