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Si 射频功率晶体管
LF2805A RF Power MOSFET Transistor 5W, 500-1000MHz, 28V
技术特性 Features
N-Channel enhancement mode device
DMOS structure
Lower capacitances for broadband operation
Common source configuration
Lower noise floor
Applications
Broadband linear operation
500 MHz to 1400 MHz
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版本信息
大小
LF2805A数据资料DataSheet下载
:PDF
Rev.V2
3页
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