RLDRAM
继SRAM 之后，美光和英飞凌合作共同开发了一种称为延时减小动态随机访问存储器（RLDRAM）的新型存储器，它具有更高的密度、更高的带带、更低的延时以及与SRAM相似的接口。
RLDRAM是专为解决延迟问题而设计的，因而在低延迟、高带宽SRAM市场上的普及率日益提高。RLDRAM 密度为288Mb和576Mb两种，其延时仅为15-20ns，而传统的SRAM延时超过40ns。RLDRAM还具有非常高的速度，在系统频为400Mhz时速率800Mbps，在533Mhz时甚至达1067Mbps，可提供28.8Gbps的吞吐量，采用了36bit接口。RLDRAM采用了可编程的BL2、BL4以及BL8总线，非常灵活，并集成ECC功能。因此，该存储器最适合用于路由器、交换机、带L3缓存的高端服务等高速网络应用。新一代的消费电子产品如HDTV和投影仪也是RSDRAM的目标应用。RLDRAM-II采用144-ball FBGA 11mm×18.5mm封装方式，提供高速数据传输性能的同时也保证了升级的方便。还有一点是，因为它是由英飞凌与美光联合开发，所以不存在独家供货问题，保证了供货渠道的多元化和良好的兼容特性。 RLDRAM已被网络和通信厂商采用。Xilinx和Altera都有针对RLDRAM与FPGA互连的开发工具。
RLDRAM II 特点
- 与QDR/DDR系列SRAM相似，RLDRAM II架构也具有单独I/O(SIO)和共用I/O(CIO)版本。SIO RLDRAM II架构允许像QDR那样同时进行读和写操作，而CIO架构则与DDR SRAM相似。
- 虽然具有一种SRAM型寻址功能，但RLDRAM也可以采用传统的DRAM多路复用寻址电路。该功能使得RLDRAM在寻址方面具有了与老式控制器设计的后向兼容性，并且减少了存储控制器所使用的地址引脚的数量。
- 一个输出信号用于指示在I/O线路上被读出的数据。
- RLDRAM II设计还采用了数据选通时钟，即一对用于锁存输出数据的自由振荡时钟(类似于QDR-II的回波时钟)。在某种特定的存取或寻址模式下，RLDRAM II架构能够实现100%的带宽利用率。
RLDRAM 关键技术
- SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器
- Depth=256：存储器的纵向容量，就是存多少个数据,本例中是256个。
- Width=8：存储器的横向宽度，就是每个数据多少位，本例中是8位宽。
- 存储容量：density 指内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。 内存容量以MB/GB作为单位。
- 环保无铅：ROHS
- 供电电压：Voltage
- 封装形式：Package
- 管脚数量：Pin Count
- 时钟速度：Clock Rate
- 存取时间：Cycle Time
- 工作温度：OP. TEMP (Operating Temperature )
- 内存主频：Data Rate 表示内存的速度，代表该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存，还有800MHz和1066MHz的DDR3内存。
