超低电容
- 增强型ESD二极管阵列系列
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0.30pF, SOD-883
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断态电压（V）: 5.0
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I泄漏（μA）: 0.025
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ESD触点（kV）: ±22
- 增强ESD分散式TVS系列
- 0.15pF TYP双向，0.30pF TYP单向，0201和0402 DFN
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断态电压（V）: 5.0
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I泄漏（μA）: 0.025
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ESD触点（kV）: ±22
- 超低电容电容二极管阵列系列
- 0.20pF、0402 DFN和SOD-883
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断态电压（V）: 5.0
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I泄漏（μA）: 0.025
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ESD触点（kV）: ±20
- 超低电容分散式TVS系列
- 最高0.13pF双向，最高0.25pF单向，0402和0201 DFN
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断态电压（V）: 5.0
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I泄漏（μA）: 0.025
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ESD触点（kV）: ±20
- SESD系列增强ESD二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: YES
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断态电压（V）: 7.0
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I泄漏（μA）: 0.050
- SESD系列增强ESD分散式TVS
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符合AEC-Q101标准: YES
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断态电压（V）: 7.0
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I泄漏（μA）: 0.050
- SESD系列超低电容二极管阵列
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符合AEC-Q101标准: YES
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订单号码:: RF2946-000，RF3076-000，RF3077-000，RF3078-000
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断态电压（V）: 7.0
- SESD系列超低电容分散式TVS
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符合AEC-Q101标准: YES
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订单号码:: RF2193-000，RF2192-000，RF2945-000，RF2943-000
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断态电压（V）: 7.0
