系统产品
电子元器件
电子电路设计开发
简体中文
English
器件型号
文档资源
品牌厂家
产品服务
设计支持
联系购买
简体中文
English
首页
>
VISHAY 威世
>
MOSFET
> SiHG33N65E
SiHG33N65E E Series Power MOSFET
技术特性
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Datasheet
SiHG33N65E
RC Thermal Models
SiHG33N65E_RC
- R-C Thermal Model Parameters
SiHG33N65E
91716
SiHG33N65E_RC
91716
About 关于我们
Business 商务合作
Careers 人才招聘
Sitemap 网站导航
Privacy 隐私条款
©1993 - 2024 BDTIC