ADG1213 低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关

产品特色超低电容电荷注入小于1 pC。 3 V逻辑兼容数字输入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。无需VL 逻辑电源。超低功耗：<0.03 μW。 16引脚TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封装。应用

ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同， iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。

这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。

iCMOS结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。

ADG1211 / ADG1212 / ADG1213内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。ADG1211和ADG1212的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1211开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1212则要求逻辑1。ADG1213有两个开关的数字控制逻辑与ADG1211相似；但其它两个开关的控制逻辑则相反。ADG1213为先开后合式开关，适合多路复用器应用。

当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。

产品特点和性能优势

1 pF关断电容

2.6 pF导通电容

电荷注入小于1 pC

电源电压范围：33 V

导通电阻：120 Ω

额定电源电压：±15 V、+12 V

无需 VL 电源

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装

典型功耗：<0.03 µW

开关和多路复用器

模拟开关与多路复用器

SPICE模型

ADG1213 SPICE Macro Model .CIR

数据手册

文档	备注
ADG1211/ADG1212/ADG1213: Low Capacitance, Low Charge Injection, ±15 V/+12 V iCMOS; Quad SPST Switches Data Sheet (Rev. C)	PDF 374.23 K

应用笔记

文档	备注
AN-874: 在±5V电源下使用ADG12xx系列器件及其性能影响 (Rev. 0)	PDF 206 kB
AN-874: Operating the ADG12xx Series of Parts with 5 V Supplies and the Impact on Performance (Rev. 0)	PDF 206 kB

用户手册

文档	备注
UG-945: Evaluation Board for 16-Lead TSSOP Devices in the Switches and Multiplexers Portfolio (Rev. 0)	PDF 291.91 K

订购信息

产品型号	封装	包装数量	温度范围	美金报价 100-499	美金报价 1000+	RoHS
ADG1213YCPZ-500RL7 量产	16 ld LFCSP (3x3mm, 1.3mm exposed pad)	OTH 500	-40 至 125至	0	1.94	Y
ADG1213YCPZ-REEL7 量产	16 ld LFCSP (3x3mm, 1.3mm exposed pad)	REEL 1500	-40 至 125至	0	1.94	Y
ADG1213YRUZ 量产	16 ld TSSOP	OTH 96	-40 至 125至	2.37	1.94	Y
ADG1213YRUZ-REEL7 量产	16 ld TSSOP	REEL 1000	-40 至 125至	0	1.94	Y