HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA,后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。
它具有I和Q混频器输出,所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的所有数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取,且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。
应用
产品特点和性能优势
| 射频和微波 |
文档 | 备注 |
HMC570 Die Datasheet | PDF 697 K |
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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HMC570 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 25 | -55 至 85至 | 32.84 | 24.5 | Y |
HMC570-SX 量产 | CHIPS OR DIE | OTH 2 | -55 至 85至 | 0 | 0 | Y |