HMC570-Die GaAs MMIC I/Q接收机芯片,17 - 21 GHz

HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA,后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。

它具有I和Q混频器输出,所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的所有数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取,且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。

应用

产品特点和性能优势
  • 转换增益: 10 dB
  • 镜像抑制: 17 dB
  • 2 LO至RF隔离: 35 dB
  • 噪声系数: 3 dB
  • 输入IP3: +3 dBm
  • 裸片尺寸: 2.33 x 2.73 x 0.10mm
射频和微波
数据手册
文档备注
HMC570 Die DatasheetPDF 697 K
订购信息
产品型号封装包装数量温度范围美金报价 100-499美金报价 1000+RoHS
HMC570 量产CHIPS OR DIEOTH 25-55 至 85至32.8424.5Y
HMC570-SX 量产CHIPS OR DIEOTH 2-55 至 85至00Y
参考资料
HMC570 Die Datasheet hmc570-die
Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267) hmc263lp4e