HMC7911 17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器
HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 传感器
产品特点和性能优势转换增益:18 dB(典型值)边带抑制:30 dBc(典型值)针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率:2 dBm(典型值)输出三阶交调截点(OIP3):33 dBm(典型值)RFOUT上2倍本振(LO)泄漏:10 dBm(典型值)IF输入端2倍LO泄漏:-25 dBm(典型值)RF回波损耗:13 dB(典型值)LO回波损耗:10 dB(典型值)32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装 | |
数据手册
订购信息
产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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HMC7911LP5E 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.7mm ep) | OTH 50 | -40 至 85至 | 35.86 | 29.34 | Y |
HMC7911LP5ETR 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.7mm ep) | REEL 500 | -40 至 85至 | 35.86 | 29.34 | Y |
评估板
产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
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EV1HMC7911LP5 | Evaluation Board | 248.6 | Y |
参考资料