HMC7912 GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz
HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
产品特点和性能优势转换增益：15 dB（典型值）边带抑制：22 dBc（典型值）针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）RF回波损耗：15 dB（典型值）LO回波损耗：15 dB（典型值）32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装 | |
数据手册
订购信息
| 产品型号 | 封装 | 包装数量 | 温度范围 | 美金报价 100-499 | 美金报价 1000+ | RoHS |
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| HMC7912LP5E 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.7mm ep) | OTH 50 | -40 至 85至 | 35.86 | 29.34 | Y |
| HMC7912LP5ETR 量产 | 32 ld QFN (5x5mm w/3.7mm ep) | REEL 500 | -40 至 85至 | 35.86 | 29.34 | Y |
评估板
| 产品型号 | 描述 | 美金报价 | RoHS |
|---|
| EV1HMC7912LP5 | Evaluation Board | 248.6 | Y |
参考资料
