特点- 低噪声系数
- 良好的回波损耗
- 低旁路插入磨损
- 高线性性能
- 在 LNA 模式下具有高隔离度
- 平坦增益
- GaAs E-pHEMT 技术
- 5V 单电源
- MSL2a
Applications- 用于塔顶放大器 (TMA) 的 LNA（低噪声放大器）
相关产品 | | Specification | Value |
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| Lifecycle | Active | | RoHS6 Compliant | Y | | Distrib. Inventory | Yes | | Samples Available | Yes | | Max Qty of Samples | 5 | | RF Freq (GHz) | | | IF Freq (GHz) | | | Conversion Gain (dB) | | | LO/RF Isol. (dB) | | | IIP3 (dBm) | | | Frequency (GHz) | 1.71-1.85 | | Bias Condition (V@mA) | 5V@99mA | | NF (dB) | 0.67 | | Gain (dB) | 15.9 | | P1dB (dBm) | 3.5 | | OIP3 (dBm) | 32.3 | | Package | SMT 7x10 |
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