ATF-521P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 42 dBm OIP3 采用 LPCC 封装 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

ATF-521P8 单电压 E-pHEMT 低噪声 42 dBm OIP3 采用 LPCC 封装

ATF-521P8 是一款采用 8-lead LPCC (JEDEC DFP-N) 封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT 器件，在 50MHz 到 6 GHz 频率范围内展现出卓越的射频性能、功率效率和产品稳定性。

特点

在 2GHz，ATF-521P8 带来高达 42 dBm 的高 OIP3、26.5dBm 的 P1dB 和 1.5dB 低噪声，只需要 4.5V/200mA 直流偏压
热效率封装尺寸仅 2mm x 2mm x 0.75mm。底端的金属化处理可以提供卓越的散热效果以及回焊用的视觉导引，该器件在 80°C 粘着温度下的点平均无故障时间超过 300 年。

Specification	Value
Lifecycle	Active
Distrib. Inventory	Yes
Samples Available	Yes
RoHS6 Compliant	Y
Max Qty of Samples	25
Samples Available
Frequency (GHz)	0.05-6
Bias Condition (V@mA)	4.5V@200mA
NF (dB)	1.5
Gain (dB)	17
P1dB (dBm)	26.5
OIP3 (dBm)	42
Package	SMT 2x2

ADS Model (1)

ATF-521P8 ADS Model.etc（01/29/2003）

Application Note (2)

AN 1374: ATF521P8 900 MHz High Linearity Amplifier.pdf（08/30/2010）
AN 1316: LPCC2x2.pdf（08/09/2010）

Data Sheet (1)

ATF-521P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT 2x2 mm LPCC.pdf（07/07/2009）

Layout (1)

ATF-5x1P8 AutoCAD layout drawing.zip（10/28/2005）

Product Change Notice (PCN) (5)

V12-009-480036-0A - Change in cover tape material.pdf（04/25/2012）
V08-019-480036-0A.pdf（12/11/2008）
PCN: V06-020-480036-0A, Jun. 2006.pdf（06/13/2006）
PCN: A06-007-480036-0A Mar. 2006.pdf（03/12/2006）
PCN: A04-014-480036-0B.pdf（12/17/2004）

Reliability Data Sheet (1)

ATF521P8 Rel Sheet.pdf（04/15/2007）

S-Parameter (8)

S and noise parameters at 4.5V, 200mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 200mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 3V, 200mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4.5V, 280mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4.5V, 120mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4.5V, 200mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 4V, 200mA.etc（10/28/2005）
S and noise parameters at 3V, 200mA.etc（10/28/2005）

©1993 - 2024 BDTIC