2N7000: N沟道增强模型场效应晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

简体中文
English

2N7000: N沟道增强模型场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。它们可用于大部分需要高达 400mA 直流电流的应用，并且能够提供高达 2A 的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器）以及其它开关应用。

**数据手册DataSheet**
2N7000.pdf

特性

高密度单元设计可实现极低的 R_DS(ON)。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
2N7000	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.0647	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 20.95mm, 批量 TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年3月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) 第二行2N 第三行7000
2N7000_D74Z	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.0647	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, AMMO TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) 第二行2N 第三行7000
2N7000_D75Z	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.0525	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, AMMO TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) 第二行2N 第三行7000
2N7000_D26Z	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.0647	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, 卷带 TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) 第二行2N 第三行7000

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: 2N7000.pdf














Other: Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014; Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016; A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011; A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011; A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011; Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014; MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013; Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011; FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014; TO92-3L, PACKING DRAWING Last Update: May 2014; TO92-3L, PACKING DRAWING Last Update: May 2014; TO-92 3L Drawing Last Update: Mar 2015; TO-92 3L Drawing Last Update: Oct 2015

©1993 - 2025 BDTIC