2N7002L: N沟道增强模型场效应晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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2N7002L: N沟道增强模型场效应晶体管

该 N 沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道 MOSFET 技术制作。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。该产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、逻辑电平转换器、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。

**数据手册DataSheet**
2N7002L.pdf

特性

高密度单元设计，实现低 R_DS(ON)
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠
高饱和电流能力。
低电容
快速开关速度

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
2N7002L	量产绿色：截至2014年8月中国 RoHS	$0.0157	SOT-23 3L - 1.2 x 2.92 x 1.3mm, 卷带 SOT-23 3L 示意图最后更新: 2016年4月 SOT Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行&Y (二进制历年编码) 第二行70L&E (空间) &G (每周日期代码)

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: 2N7002L.pdf












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