BSS123: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。

特性

• 0.17 A, 100 V, R_DS(ON) = 6 Ω @ V_GS = 10 V
• 0.17 A, 100 V, R_DS(ON) = 10 Ω @ V_GS = 4.5 V
• 高密度单元设计可实现极低的 R_DS(ON)
• 坚固而可靠
• 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

Application Notes