BSS123L: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

该 N 沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道 MOSFET 技术制作。 该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 该产品尤其适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。

特性

• 0.17 A、100 V、R_DS(ON) = 6 Ω（V_GS = 10 V 时）， R_DS(ON) = 10 Ω（V_GS = 4.5 V 时）
• 高密度单元设计，实现低 R_DS(ON)
• 坚固而可靠
• 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装
• 低电容
• 快速开关速度

Application Notes