FCB110N65F: N 沟道 SuperFET® II MOSFET FRFET® 650V 110 mΩ D2-Pak

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。SuperFET® II FRFET® MOSFET 集更快速、更耐用的固有体二极管性能与快速开关性能于一身，旨在实现更佳可靠性和效率，在谐振开关应用中尤其如此。SuperFET® II FRFET® 非常适合开关电源应用，如服务器/电信电源、光伏逆变器、FPD 电视电源、电脑电源、照明及工业电源应用。

特性

• 700 V @T_J= 150°C
• 典型值R_DS(on)=96 mΩ（典型值）
• 超低栅极电荷（典型值Q_g=98 nC）
• 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.)= 464 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes