FCB11N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FCB11N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ

SuperFET®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

**数据手册DataSheet**
FCB11N60.pdf

特性

650V @T_J = 150°C
典型值R_DS(on) = 320mΩ
超低栅极电荷（典型值Q_g = 40nC )
低有效输出电容（典型值C_oss.eff = 95pF )
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FCB11N60TM	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$2.1002	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FCB 第三行11N60

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-6920MR 集成临界模式PFC与准谐振电流模式PWM的控制器FAN6920 最后更新 : 2013年8月02日

Datasheet: FCB11N60.pdf















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