FCMT299N60: N 沟道 SuperFET® II MOSFET

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如服务器/电信电源、电源适配器及太阳能逆变器应用。Power88 封装是一款超薄型表面贴装封装（高度为 1 mm），外形轻薄、小巧 (8x8 mm2)。 Power88 封装的 SuperFET II MOSFET 的寄生电源电感较低，功率端和驱动源分离，因而具有优良的开关性能。 Power88 可达到湿度敏感 1 级水平 (MSL 1)。

特性

• 650 V @ T_J = 150°C
• R_DS(on) = 250 mΩ（典型值）
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 39 nC)
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 127 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes