FCP104N60: N 沟道 SuperFET® II MOSFET

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

特性

• 650 V @ T_J = 150°C
• 典型值 R_DS(on) = 96 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 63 nC)
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 280 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes