FCP170N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600 V，22 A，170 mΩ

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。

特性

• T_J = 150°C 时为 650 V
• 典型值 R_DS(on) = 150 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值 Q_g = 42 nC)
• 低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 190 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes