FCP190N60_GF102: N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性

• T_J = 150°C 时为 650 V
• R_DS(on)最大值 = 199 mΩ
• 超低栅极电荷（典型值Q_g = 57 nC)
• 低有效输出电容（典型值C_oss.eff = 160 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes