FDB0105N407L: 40V N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

特性

• 最大 r_DS(on) = 0.8 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 50 A
  
• 最大 r_DS(on) = 1.1 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 42 A
  
• 快速开关速度
  
• 低栅极电荷
  
• 高性能沟槽技术可实现极低的 R_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes