FDB031N08: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.1mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDB031N08: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V, 235A, 3.1mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

**数据手册DataSheet**
FDB031N08.pdf

特性

R_DS(on) = 2.4mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 75A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDB031N08	量产绿色：截至2010年6月中国 RoHS	$3.24	TO-263 3L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 3L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDB 第三行031N08

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-6920MR 集成临界模式PFC与准谐振电流模式PWM的控制器FAN6920 最后更新 : 2013年8月02日

Datasheet: FDB031N08.pdf















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