此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
第二行FDB0 第三行690N1507L