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FDB120N10: N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDB120N10.pdf
特性
R
DS(on)
= 9.7mΩ (典型值)@ V
GS
= 10V, I
D
= 74A
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的 R
DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDB120N10
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$1.62
TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带
TO-263 2L (D2PAK) 示意图
最后更新: 2016年5月
TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO263-2L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO263_TUBE PACKING DRAWING
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDB
第三行
120N10
Application Notes
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TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO263-2L, PACKING DRAWING
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TO263_TUBE PACKING DRAWING
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