FDB15N50: N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，15A，380mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

特性

• 低栅极电荷 Q_g 决定简单的驱动要求（典型值 33nC）
• 经过改善的栅极、雪崩和较高的重加 dv/dt 强度
• Reduced R_DS(on) ( 330mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 7.5A)
• 降低了米勒电容，且输入电容低（典型值 C_rss = 16pF）
• 可在低 EMI 的情况下提高开关速度
• 175^oC 额定结温

Application Notes