FDB20N50F: N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET 500 V、

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 220 mΩ（典型值） @ V_GS = 10 V, I_D = 10 A
• 低栅极电荷（典型值 50 nC）
• 低 Cr_ss（典型值 27 pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高dv/dt能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合JEDEC标准JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D.1

Application Notes