FDB28N30TM: N 沟道 UniFETTM MOSFET 300V，28A，129mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

特性

• R_DS(on) = 108mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 14A
• 低栅极电荷（典型值 39nC）
• 低 C_rss（典型值 35pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes