FDB7030BL: N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性

• 60 A，30 V
  
• R_DS(ON) = 9 mΩ @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 12 mΩ @ V_GS = 4.5 V
  
• 在高温下指定的临界DC电气参数
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 175°C最高结温额定值
  

Application Notes