FDB86135: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDB86135: 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。

这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

**数据手册DataSheet**
FDB86135.pdf

特性

V_GS = 10V，I_D = 75A_{时，最大r}DS(on)
= 3.5 mΩ
快速开关速度
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDB86135	量产绿色：截至2011年7月中国 RoHS	$2.7819	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDB 第三行86135

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

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AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

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Datasheet: FDB86135.pdf















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