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FDBL0120N40: 40V N 沟道 PowerTrench® MOSFET
数据手册DataSheet
FDBL0120N40.pdf
特性
典型值 R
DS(on)
= 0.9 mΩ(V
GS
= 10V, I
D
= 80 A
典型值 Q
g(tot)
= 90 nC(V
GS
= 10V, I
D =
80 A
UIS 能力
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDBL0120N40
量产 绿色:截至2014年11月 中国 RoHS
$2.6716
TO-LL 8L - 2.3 x 9.80 x 10.38mm, 卷带
TO-LL 8L 示意图
最后更新: 2015年1月
TOLL-8L-PSOF, Packing Drawing
最后更新: 2013年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDBL
第三行
0120N40
Application Notes
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最后更新 : 2013年8月27日
AN-9005
快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
最后更新 : 2014年11月26日
AN-7510
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
最后更新 : 2011年3月05日
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最后更新 : 2013年9月09日
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最后更新 : 2014年10月23日
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AN-9010
MOSFET 基础
最后更新 : 2014年6月28日
AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
AN-4170
Board Assembly Guideline for Fairchild TO-Leadless Package
最后更新 : 2015年2月12日
FDBL0120N40.pdf
MOSFET Basics
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FRFET® in Synchronous Rectification
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline
Last Update : 05-Mar-2011
TO-LL 8L Drawing
Last Update: Jan 2015
TOLL-8L-PSOF, Packing Drawing
Last Update: Jun 2013
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
Board Assembly Guideline for Fairchild TO-Leadless Package
Last Update : 12-Feb-2015
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