FDC3535: -80V P 沟道 PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化。

特性

• V_GS = -10 V，I_D = -2.1 A时，最大r_DS(on) = 183mΩ
  
• V_GS = -4.5 V，I_D = -1.9 A时，r_DS(on) = 233 mΩ
  （最大值）
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 快速开关速度
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes