FDC5612: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特性

• 4.3 A, 60 V. R_DS(ON) = 0.055 Ω@ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 0.064 Ω @ V_GS = 6 V
  
• 低栅极电荷（12.5nC，典型值）
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(ON)
  
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）
  

Application Notes