FDC610PZ: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻同时仍保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合电池供电应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

特性

• 最大 r_DS(on)=42mΩ（V_GS=-10 V、I_D=-4.9 A）
• 最大 r_DS(on)=75 mΩ（V_GS=-4.5 V、I_D=-3.7 A）
• 低栅极电荷（典型值17 nC）。
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)。
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）。
• 符合 RoHS 标准

Application Notes