FDC6321C: 双 N&P 沟道数字 FET

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

特性

• N-Ch 25 V, 0.68 A, R_DS(ON) = 0.45 Ω @ V_GS= 4.5 V
• P-Ch -25 V, -0.46 A, R_DS(ON) = 1.1 Ω @ V_GS= -4.5 V.
• 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 V_GS(th)< 1.0V。
• 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
• 替代多个双通道NPN & PNP数字晶体管。

Application Notes