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FDC634P: -20V P沟道 2.5V 额定 PowerTrench® MOSFET
该额定电压为2.5V的P沟道MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺制成。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDC634P.pdf
特性
-3.5 A, -20 V
R
DS(ON)
= 80 mΩ(VGS = -4.5 V时)
R
DS(ON)
= 110 mΩ(VGS = -2.5 V时)
低栅极电荷(7.2nC典型值)
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDC634P
量产 绿色:截至2011年7月 中国 RoHS
$0.1505
SSOT 6L - 0.97 x 4.22 x 1.6mm, 卷带
SSOT 6L 示意图
最后更新: 2017年2月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
&.
(引脚 1)
634
&G
(每周日期代码)
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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