FDC6401N: 双N沟道2.5V规格PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDC6401N: 双N沟道2.5V规格PowerTrench® MOSFET

该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDC6401N.pdf

特性

3.0 A, 20 V
R_DS(ON) = 70 mΩ @ V_GS = 4.5 V
R_DS(on) = 95 mΩ @ V_GS = 2.5 V
低栅极电荷
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
高功率和高电流处理能力

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDC6401N	量产绿色：截至2011年7月中国 RoHS	$0.1631	SSOT 6L - 0.97 x 4.22 x 1.6mm, 卷带 SSOT 6L 示意图最后更新: 2017年2月 SOT Tape and Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年10月	第一行&E (空间) &Y (二进制历年编码) 第二行&. (引脚 1) 401&G (每周日期代码)

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDC6401N.pdf












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