FDC6506P: 双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。     这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供出色的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。

特性

• -1.8 A，-30 V。
  
• R_DS(on) = 0.170 Ω @ V_GS = -10 V
  
• R_DS(on) = 0.280 Ω @ V_GS = -4.5 V
  
• 低栅极电荷（典型值2.3nC）
  
• 快速开关速度。
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
  

Application Notes