FDC6561AN: 双N沟道、逻辑电平、Power Trench® MOSFET

这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。     此类器件非常适合所有需要小尺寸，特别是电池供电系统中需要低成本DC/DC转换的应用。

特性

• 2.5 A, 30 V
  
• R_DS(ON) = 0.095 Ω @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 0.145 Ω @ V_GS = 4.5 V
  
• 极快速开关
  
• 低栅极电荷（2.1nC，典型值）
  
• SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
  

Application Notes