FDC855N: 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench® MOSFET

该N沟道逻辑电平MOSFET是低电压和电池电源应用的有效解决方案。 由于采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺，该器件具有最低的通态电阻，可以优化功耗。 非常适合重视线路内功率损耗的应用。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 6.1A时，最大R_DS(on) = 27mΩ
  
• V_GS = 4.5V，I_D = 5.3A时，最大r_DS(on) = 36 mΩ
  
• SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes