FDD18N20LZ: N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，16A，125mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

特性

• R_DS(on) = 125mΩ （最大值）@ V_GS = 10V, I_D = 8A
• 低栅极电荷（典型值 30nC）
• 低 C_rss（典型值 25pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

Application Notes