FDD2670: 200V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 3.6 A, 200 V
  
• R_DS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10V
  
• 低栅极电荷
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes