FDD3510H: 80V双N和P沟道PowerTrench® MOSFET

这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性

• Q1： N沟道
• 最大r_DS(on) = 80m? V_GS = 10V时，I_D = 4.3A
  
• 最大r_DS(on) = 88m? V_GS = 6V, I_D = 4.1A时Q2: P沟道
  
• 最大r_DS(on) = 190m? V_GS = -10V时，I_D = -2.8A
  
• 最大r_DS(on) = 224m? V_GS = -4.5V时，I_D = -2.6A
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes