FDD4141: -40V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®技术生产，用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力，以便在应用中提供卓越的性能优势。 以及提供优化后的开关性能，从而减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。

特性

• V_GS = -10V，I_D = -12.7A时，最大R_DS(on) = 12.3 mΩ
  
• V_GS = -4.5V，I_D = -10.4A时，最大R_DS(on) = 18.0 mΩ
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes