FDD4N60NZ: N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 3.4A, 2.5Ω

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 1.9Ω （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 1.7A栅极电荷低（典型值：8.3nC)
• 低 C_rss（典型值3.7pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

Application Notes