FDD5612: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 18 A，60 V
  
• R_DS(ON) = 55 mΩ @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 64 mΩ @ V_GS = 6 V
  
• 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
  
• 低栅极电荷。
  
• 极快速开关。
  

Application Notes