FDD5690: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。     此类MOSFET同类似的RDS(ON)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。     因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 30 A，60 V。 R_DS(on) = 0.027 Ω @ V_GS = 10 V.0.032 V。 R_DS(on) = 0.60 Ω @ V_GS = 6 V。
  
• 低栅极电荷（23nC，典型值）
  。
• 快速开关
  。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
  

Application Notes