FDD6685: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDD6685: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDD6685.pdf

特性

-40A, -30V
R_DS(ON) = 20 mΩ @ V_GS = -10V
R_DS(ON) = 30 mΩ @ V_GS = -4.5V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
高功率和高电流处理能力
符合 AEC Q101

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDD6685	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.2762	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDD 第三行6685

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDD6685.pdf














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