FDD6N50: N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，6A，900mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDD6N50: N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V，6A，900mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

**数据手册DataSheet**
FDD6N50.pdf

特性

R_DS(on) = 900mΩ （最大值）@ V_GS = 10V, I_D = 3A
低栅极电荷（典型值 12.8nC）
低 C_rss（典型值 9pF）
100% 经过雪崩击穿测试
提高了 dv/dt 处理能力

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDD6N50TM	量产绿色：截至2012年10月中国 RoHS	$0.792	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDD 第三行6N50
FDD6N50TM_WS	量产绿色：截至2012年11月中国 RoHS	$0.792	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDD 第三行6N50S

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9066 UniFET™ Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction 最后更新 : 2011年3月03日

AN-9725 谐振变换器用新品功率MOSFET-UniFET™ II耐用体二极管特性最后更新 : 2014年1月13日

Datasheet: FDD6N50.pdf
















Other: Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014; Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016; A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011; A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011; A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011; Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014; MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013; Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011; FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014; UniFET™ Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction Last Update : 03-Mar-2011; Robust Body Diode Characteristics of the Latest Power MOSFETs, UniFET™ II for Resonant Converters Last Update : 28-Jun-2014; TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING Last Update: Oct 2016; TO252-3L, PACKING DRAWING Last Update: May 2013; TO252-3L packing drawing Last Update: May 2013; TO-252 3L (DPAK) Drawing Last Update: Jun 2016

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