FDD8424H: 40V双N & P沟道PowerTrench® MOSFET

这些双 N 和 P 沟道增强模式功率 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 24 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 9.0 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 30mΩ（V_GS = 4.5V, I_D = 7.0A
  
• 最大值 R_DS(on) = 54 mΩ（V_GS = -10 V、I_D = -6.5 A
  
• 最大值 R_DS(on) = 70 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -5.6 A
  
• 快速开关
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes